Ingot ist der englische Begriff für Barren und wird auch im Deutschen als Fachbegriff für Halbleiter-Blöcke verwendet. Monokristalline Silizium-Ingots (Monokristalle) werden aus hochreinem Silizium mittels der sog. Czochralski-Methode gefertigt. Dabei wird das Silizium geschmolzen und danach bei einer Temperatur knapp über dem Schmelzpunkt mit Hilfe eines monokristallinen Siliziumstabs in Form eines zylindrischen Ingots aus der Schmelze gezogen. Multikristalline Silizium-Ingots (Multikristalle) werden aus reinem Silizium in einem rund 50 Stunden dauernden kontrollierten Prozess (Erhitzung mit Aufschmelzen und Abkühlung mit kontrollierter Erstarrung) hergestellt. Während dieses Prozesses bilden sich im Ingot die für die PV-Anwendung notwendigen kristallinen Bereiche von mm- bis cm-Grösse.